Как работает оперативная память вашего компьютера?

Основные параметры режима задержек памяти

Режим задержек памяти (DRAM timing mode) является одним из важных параметров настройки оперативной памяти в компьютере. Этот параметр определяет задержки между различными операциями памяти и влияет на быстродействие и стабильность работы системы. В данной статье рассмотрим основные параметры режима задержек памяти и их значения.

CL (CAS Latency)

CL определяет задержку в тактах между тем моментом, когда процессор запрашивает данные из памяти, и моментом, когда процессор получает эти данные. Чем меньше значение CL, тем быстрее происходит передача данных и, соответственно, повышается производительность системы. Однако, снижение CL может повлечь за собой нестабильность работы памяти, поэтому необходимо находить баланс между производительностью и стабильностью.

tRCD (RAS to CAS Delay)

tRCD определяет задержку в тактах между активацией строки памяти (RAS) и началом доступа к столбцу памяти (CAS). Значение tRCD должно быть не меньше задержки CAS Latency (CL), иначе возможны ошибки при чтении и записи данных.

tRP (RAS Precharge Time)

tRP определяет задержку в тактах между деактивацией строки памяти (RAS) и началом доступа к следующей строке. Значение tRP также должно быть не меньше задержки CAS Latency (CL).

tRAS (Active to Precharge Delay)

tRAS определяет задержку в тактах между активацией строки памяти (RAS) и деактивацией строки (precharge). Значение tRAS должно быть достаточно большим для обеспечения стабильной работы памяти, но слишком большое значение может негативно сказаться на производительности.

tRC (Row Cycle Time)

tRC определяет время в тактах между двумя последовательными активациями строк памяти. Этот параметр связан с задержками tRAS и tRP, и его значение должно быть не меньше суммы этих задержек.

tWR (Write Recovery Time)

tWR определяет задержку в тактах перед началом записи данных после окончания операции чтения. Значение tWR должно быть достаточно большим для обеспечения стабильной работы памяти, но слишком большое значение может негативно сказаться на производительности.

tRFC (Refresh Cycle Time)

tRFC определяет время в тактах между последней активацией строки памяти и началом следующего освежения (refresh) памяти. Значение tRFC должно быть достаточно большим для обеспечения стабильной работы памяти.

tWTR (Write to Read Delay)

tWTR определяет задержку в тактах между операцией записи и операцией чтения данных. Значение tWTR должно быть достаточно большим для обеспечения стабильной работы памяти.

tFAW (Four Activate Window)

tFAW определяет минимальное время в тактах между четырьмя последовательными активациями строк памяти. Этот параметр влияет на производительность работы памяти при одновременной обработке нескольких запросов.

Пример значения параметров

• CL: 16
• tRCD: 18
• tRP: 18
• tRAS: 39
• tRC: 56
• tWR: 18
• tRFC: 560
• tWTR: 8
• tFAW: 21

Значение параметров режима задержек памяти зависит от конкретной модели памяти и ее возможностей. Рекомендуется ориентироваться на рекомендации производителя памяти или материнской платы при настройке этих параметров.

Назначение таймингов

Латентность (задержки между отправкой и обработкой команд) оперативной памяти записываются производителем через дефис в специальную последовательность CL-RCD-RP-RAS. Подробнее в каждом значении разберемся ниже.

CAS Latency

Отображает время, необходимое для получения данных от центрального процессора, с последующей обработкой и передачей обратно. Описывается формулой «T = (CL / количество передач в секунду) * 2000».

RAS-CAS

Показатель RCD определяет скорость перемещения информации между строками и столбцами ячеек, доступных в модулях ОЗУ. Задержки определяют, в том числе, и переход от процессов чтения к записи и обратно.

RAS Precharge (RP или tRP)

Указывает время, необходимое для перехода к новой строке с предварительной выгрузкой информации из предыдущей. Часто показатель RP равен RCD (RAS-CAS).

Настраиваем ОЗУ

Процедура настройки оперативной памяти выглядит по-разному в зависимости от используемой версии BIOS. При этом изменяемые параметры всегда идентичны. Разница в том, как к ним можно добраться. Разберем три ключевые версии BIOS.

Настройка для BIOS компании Award

Вот, что нужно делать, если вы используете материнскую плату с Award BIOS (или Phoenix).

• Перезагружаем компьютер (или включаем его, если еще этого не сделали). Заходим в BIOS, нажав на соответствующую клавишу.
• После того, как перед вами появится синий экран с параметрами компьютера, одновременно нажимаем на клавиши Ctrl + F1. Это откроет дополнительные настройки.
• В появившемся списке опций ищем строчку MB Intelligent Tweaker (M.I.T.), выделяем ее с помощью клавиш-стрелок и нажимаем на «Ввод» (Enter).

Иногда эта строчка появляется в правой панели

Далее ищем раздел Advanced Memory Settings и переходим в него.

Здесь мы и будем вносить изменения

После этого ищем канал памяти, тайминг в котором нужно изменить. Выделяем его с помощью клавиш стрелок и нажимаем «Ввод».

Выбираем канал

В открывшемся меню ищем латентность, которую хотим поменять и переключаем режим в ручное управление (нажав «Ввод»).

Каждый пункт здесь — определенный параметр латентности, который можно скорректировать

В некоторых версиях Award BIOS нужно действовать иначе.

• Открываем BIOS.
• Переходим в раздел Advanced Chipset Features.
• Затем входим в подменю DRAM Clock/Timing Control.

Нужный пункт

Настраиваем тайминг ОЗУ с учетом своих предпочтений. Узнать о свойствах каналов и особенностях тайминга можно из официальной документации производителя вашего «железа».

Отдельно стоит упомянуть возможность увеличения подачи тока на отдельные комплектующие. В том числе и память. Для этого:

• Открываем BIOS.
• Переходим в меню Frequency/Voltage Settings.

Иногда этот пункт прячется в меню M.I.T.

Меняем показатели DRAM Voltage в соответствии со своими предпочтениями.

Изменения более чем на 0.15 единиц могут быть критичны для компьютера

Настройки для BIOS AMI

Интерфейс в BIOS компании Amerian Megatrends сильно отличается. Мало того, что он сложнее, так он еще имеет кучу вариаций. Поэтому зачастую тяжело наверняка сказать, где в нем находятся те или иные настройки.

В некоторых вариациях на главной странице есть пункт Advanced BIOS Features.

• Выбираем этот пункт.
• Затем переходим в подменю Advance DRAM Configuration.
• Внутри переводим опцию DRAM Timing Mode в ручной режим управления и меняем значения латентности.

Есть и другая версия BIOS, интерфейс которой построен на вкладках в верхней части экрана. Там нужная опция может прятаться сразу в нескольких местах:

1. Основная вкладка (пункт имеет схожее с предыдущим вариантов название).
2. Вкладка Advanced, где хранится ряд настроек процессора.
3. Вкладка PCI, где хранится информация и настройки для устройств, подключенных через PCI-разъемы.

Придется покататься во всех разделах самостоятельно, пока не наткнетесь на пункт управления оперативной памятью. Пункт будет называться как-то в духе DRAM Timings…

Остальные опции и параметры будут идентичны.

Настройка для UEFI

В UEFI все устроено примерно так же. Чтобы настроить в нем оперативную память:

• Открываем BIOS, нажав на соответствующую клавишу во время загрузки компьютера.
• Оказавшись в UEFI BIOS Utility, кликаем (да, тут доступна мышь) по вкладке Ai Tweaker.

Вот и нужный пункт

• В открывшемся меню ищем пункт BCLK Frequency: DRAM Frequency Ratio и кликаем по кнопке справа от него.
• Появится список всех доступных частот оперативной памяти. Выбираем ту, что нам подходит.

Оптимально выбирать самую высокую частоту, доступную для вашей модели RAM

Затем возвращаемся на предыдущий экран и кликаем по строчке DRAM Timing Control.

Переходим к следующему пункту…

Перед нами появятся все доступные параметры таймингов. Настраиваем их на свое усмотрение.

Здесь доступны те же опции, что и в других версиях BIOS

В конце просто сохраняем настройки и закрываем BIOS.

Post Views: 22 632

Логическая организация памяти

Все доступная память делится на сегменты по 64 Кб. Но при этом память, установленная в любом личном компьютере, кратна 16. При необходимости процессору нужно достать информацию из ОЗУ, он обращается к нему по номеру сегмента и смещению. Смещением называется порядковый номер байта в сегменте. Например, процессор 8088 имел максимум 1 Мб RAM. Она распределялась следующим образом: первые 640 Кб (10 сегментов по 64 Кб) были отданы под оперативную память. В них загружались программы и данные. Эта область памяти называлась нижней (low). Память от 640Кб до 1 Мб называлась верхней (high). Последующие два сегмента верхней памяти используются для памяти видеоадаптера, следующий разделил бы все тот же видеоадаптер, затем шли два зарезервированных сегмента. Последний сегмент использовался для загрузки копии BIOS в оперативную память. Это типичная структура оперативной памяти в персональных компьютерах.

История

Электронные вычислительные машины, занимавшие огромные площади и потребляющие сотни тысяч ватт энергии, появились во второй половине сороковых годов 20 века. Вначале использовались ring-counter’ы (круговой сдвиговый регистр), реализованные на электронных лампах — двойных триодов. Это был неэкономичный, громоздкий и медленный тип ОЗУ.

1 мегабайт ОЗУ

После 50-х годов была выпущена ОЗУ на магнитных сердечниках, просуществовавшая до середины 70-х. Такая память хранит данные, которые записаны как направление намагниченности маленьких кольцевидных ферритовых сердцечников. Ферритовые кольца расставлялись в прямоугольную матрицу и через каждое кольцо проходило четыре провода для считывания и записи информации. Направление намагниченности одного ферритового кольца позволяет хранить один бит информации. Через кольцо проходит четыре провода: два провода возбуждения X и Y, а также провод запрета S под углом 45° и провод считывания под углом 90°. На провода возбуждения подается импульс тока таким образом, что сумма токов через отверстие сердечника приводит к тому, что намагниченность кольца принимает определенное направление независимо от того, какое оно было до этого. Значение бита можно определить, измерив ток на проводе считывания: если намагниченность сердечника изменилась, то в проводе считывания возникает индукционный ток. Силу тока в проводах возбуждения и материал сердечника подбирают так, чтобы тока через один провод не хватило бы для изменения намагниченности сердечника. Это необходимо, так как на один провод возбуждения нанизано несколько десятков сердечников, а менять направление намагниченности нужно только в одном из них. По разным причинам, такой вид памяти использовался на космических кораблях (например, Шаттл), до начала 90-х годов, а также используется по сей день на старых АЭС. Основная причина — магнитные сердечники не боятся радиации и электромагнитного излучения.

Использование полупроводниковой оперативной памяти началось в 1965 году, когда IBM представила монолитную (однокристальную) 16-разрядную микросхему SP95 SRAM для своего компьютера System / 360 Model 95, а Toshiba использовала дискретные ячейки памяти DRAM для своего 180-разрядного электронного калькулятора Toscal BC-1411, оба на основе биполярных транзисторов. Однако, несмотря на то, что она предлагала более высокую производительность по сравнению с памятью магнитного сердца, биполярная DRAM не могла конкурировать со стоимостью памяти с магнитным сердечником.

МОП-память была разработана в конце 1960-х годов и стала основой для всех ранних коммерческих полупроводниковых запоминающих устройств. 

В 1968 году небольшая группа инженеров, отделившаяся от Motorola, создала компанию Intel. Новая компания выпустила высокоскоростной 64-битный полупроводниковый чип ОЗУ, модель 3101.

В 1969 году Intel представила 256-битный чип памяти, модель 1101 — первый в мире чип памяти МОП.

Хоть 1101 был сложным чипом, имел малый объем памяти и поэтому не мог эффективно конкурировать с памятью на ферритовых сердечниках, его МОП основа нашла применение в сдвиговых регистрах.

Первая коммерческая микросхема DRAM IC, 1K Intel 1103, была представлена в октябре 1970 года.

Синхронная динамическая оперативная память (SDRAM) позже дебютировала с чипом Samsung KM48SL2000 в 1992 году.

Первый коммерческий чип памяти DDR SDRAM (SDRAM с двойной скоростью передачи данных) был выпущен Samsung в июне 1998 года. 

GDDR (graphics DDR) — это разновидность DDR SGRAM (синхронной графической оперативной памяти), который был впервые выпущен Samsung как 16 — мбитный чип памяти в 1998.

How to understand the RAM classifications?

The first classification

The first number, xxx, indicates the maximum clock speed that the memory chips support. For instance, DDR400 memories work at 400 MHz at the most, DDR2-800 can work up to 800 MHz, and DDR3-1333 can work up to 1,333 MHz. It is important to note that this is not the real clock speed of the memory. The real clock of the DDR, DDR2 and DDR3 memories is half of the labeled clock speed. Therefore DDR400 memories work at 200 MHz, DDR2-800 memories work at 400 MHz, and DDR3-1333 memories work at 666 MHz.

The second classification

The second number indicates the maximum transfer rate that the memory reaches, in MB/s. DDR400 memories transfer data at 3,200 MB/s at the most, and hence they are labeled as PC3200. DDR2-800 memories transfer data at 6,400 MB/s and they are labeled as PC2-6400. And DDR3-1333 memories can transfer data at 10,664 MB/s and they are labeled as PC3-10600 or PC3-10666. As you can see, we use the number “2” or “3” after “DDR” or “PC” to indicate that we are talking about a DDR2 or DDR3 memory, not DDR.

The first classification, DDRxxx, is the standard used to classify memory chips, while the second classification, PCyyyy, is the standard used to classify memory modules. In Figure 1, you can see a PC3-10666 memory module, which uses DDR3-1333 memory chips. Pay attention to the RAM timings (7-7-7-18) and voltage (1.5 V).

Понятие Memory timing mode

Memory timing mode может иметь несколько режимов работы, включая:

• Auto — в этом режиме BIOS самостоятельно выбирает оптимальные настройки для оперативной памяти, основываясь на ее спецификациях и возможностях системы.
• Manual — в этом режиме пользователь самостоятельно задает временные характеристики памяти, устанавливая определенные значения для таких параметров, как CAS latency, RAS to CAS delay, и т. д.
• Performance — в этом режиме BIOS устанавливает настройки с приоритетом на повышение производительности, за счет ускорения работы памяти.
• Compatibility — в этом режиме BIOS устанавливает настройки, обеспечивающие совместимость памяти с другими компонентами системы, но за счет некоторого снижения производительности.

Выбор оптимального режима работы Memory timing mode зависит от конкретных потребностей пользователя. Если требуется максимальная производительность, рекомендуется использовать Performance режим, но при этом необходимо убедиться, что память и другие компоненты системы поддерживают выбранные настройки. Если важна совместимость, то выбор Compatibility режима может быть более предпочтительным.

Компоновка модулей

Кстати, давайте рассмотрим из чего же состоит (из каких элементов) сам модуль.

Так как практически все модули памяти, состоят из одних и тех же конструктивных элементов, мы для наглядности возьмем стандарт SD-RAM (для настольных компьютеров). На изображении специально приведено разное конструктивное исполнение оных (чтобы Вы знали не только «шаблонное» исполнение модуля, но и весьма «экзотическое»).

Итак, модули стандарта SD-RAM (1): DDR (1.1); DDR2 (1.2).

Описание:

1. Чипы (микросхемы) памяти
2. SPD (Serial Presence Detect) – микросхема энергонезависимой памяти, в которую записаны базовые настройки любого модуля. Во время старта системы BIOS материнской платы считывает информацию, отображенную в SPD, и выставляет соответствующие тайминги и частоту работы ОЗУ;
3. «Ключ» — специальная прорезь платы, по которой можно определить тип модуля. Механически препятствует неверной установке плашек в слоты, предназначенные для оперативной памяти;
4. SMD-компоненты модулей (резисторы, конденсаторы). Обеспечивают электрическую развязку сигнальных цепей и управление питанием чипов;
5. Cтикеры производителя — указывают стандарт памяти, штатную частоту работы и базовые тайминги;
6. РСВ – печатная плата. На ней распаиваются остальные компоненты модуля. От качества зачастую зависит результат разгона: на разных платах одинаковые чипы могут вести себя по-разному.

Теперь обощая, упрощая.

Выбор и расширение оперативной памяти на стационарном компьютере

Оперативная память (ОЗУ) является одной из ключевых компонентов стационарного компьютера, отвечающей за временное хранение данных, которые обрабатывает процессор. При выборе и расширении оперативной памяти необходимо учитывать ряд факторов.

1. Тип памяти: ОЗУ бывает разных типов, таких как DDR3, DDR4 и др. При выборе модуля памяти необходимо убедиться в поддержке соответствующего типа памяти материнской платой компьютера.

2. Частота памяти: Частота памяти определяет скорость передачи данных между ОЗУ и процессором. Чем выше частота, тем быстрее будет работать ОЗУ. Необходимо выбирать модуль совместимый с частотой шины памяти материнской платы компьютера.

3. Объем памяти: Объем оперативной памяти напрямую влияет на производительность компьютера. Больший объем памяти позволяет обрабатывать больше данных одновременно, что положительно сказывается на скорости работы компьютера. Рекомендуется выбирать модули памяти с объемом, подходящим для запланированных задач (например, для игр или видеомонтажа могут потребоваться модули памяти объемом от 8 ГБ и выше).

4. Количество слотов для памяти: При выборе модулей памяти необходимо учитывать количество доступных слотов на материнской плате. Если все слоты уже заняты модулями памяти, необходимо будет заменить существующие планки на модули большего объема или приобрести материнскую плату с большим количеством слотов.

5. Совместимость: При выборе модулей памяти следует учитывать совместимость с остальными компонентами компьютера. Необходимо убедиться, что ОЗУ будет работать совместно с процессором, графической картой и другими устройствами компьютера.

При расширении оперативной памяти необходимо учитывать вышеуказанные факторы и следовать рекомендациям производителя компьютера или материнской платы. Прежде чем приобрести новые модули памяти, рекомендуется обратиться к документации к компьютеру или материнской плате.

Сравнение

Оперативная память используется в операциях компьютера после его запуска и загрузки ОС. Из ПЗУ данные считываются преимущественно во время старта системы, а приложения к ним не обращаются. Запись информации в постоянную память может быть либо фабричной (собственно ROM), либо однократно программируемой (PROM, в быту манипуляция именуется «прошивкой»).

Основное техническое отличие оперативной памяти от постоянной – энергозависимость. С отключением питания ОЗУ полностью очищается от данных, сколько бы их ни было и какими бы важными они ни казались. Каждый хотя бы раз попадал в ситуацию, когда в процессе работы за компьютером внезапно отключался свет, и тогда изменения в документе, открытые странички в браузере, проигрывающееся видео не сохранялись. Это происходит потому, что до записи новой редакции во внешнюю память она хранится в памяти оперативной, которая, будучи обесточенной, обнуляется.

Постоянная память энергонезависима. Полное отключение энергии никак не влияет на ее содержимое, поэтому программы, запускаемые из ПЗУ (BIOS, POST, ОС) требуют лишь однократной записи.

Если сравнивать, к примеру, процесс набора текста в редакторе и заливку прошивки или обновления в смартфон, заметно, в чем разница между оперативной и постоянной памятью. Символы появляются на экране сразу (задействована RAM), а во втором случае потребуется несколько минут, а иногда и часы (пишется в ROM).

В современных системах используются твердотельные динамические ОЗУ (DRAM), выполненные в виде планок с распаянными на них микрочипами и контактами. Их можно извлекать и менять на другие, допустим, большего объема. ПЗУ размещаются непосредственно на плате, замене подлежат только в целях ремонта. Оперативная память может хранить до 64 Гб информации в одном модуле, вместительность одного чипа постоянной существенно меньше – несколько Мб.

Как устроена ОЗУ

При запуске любой программы на компьютере или телефонах ей нужно где-то расположить переменные, которыми она собирается оперировать. Приложение сообщает операционной системе, что ей необходимо сохранить определенный объем данных. По этой причине система может выделить нужный участок памяти. И до тех пор пока программа запущена, он имеет возможность пользоваться всем выделенным ему сегментом ОЗУ. Программы могут запросить место под новые переменные или же, наоборот, освободить ОЗУ. На микросхеме при заполнении данных появляются заряды в конденсаторах. А при освобождении происходит их обнуление.

Немного матчасти

Чтобы разобраться с таймингами – что это такое и для чего они нужны, следует слегка  немного углубиться в механизм работы оперативки. Упрощенная схема выглядит следующим образом: ячейки ОЗУ устроены по принципу двухмерных матриц, доступ к которым происходит с указанием столбца и строки.

Ячейки памяти – по сути, конденсаторы, которые могут быть заряженными или разряженными, записывая таким образом единицу или ноль (я думаю, все уже давно в курсе, что любое вычислительное устройство работает с двоичным кодом).

Благодаря изменению напряжения с высокого на низкое посылается импульс доступа к строке (RAS) или столбцу (CAS). Синхронизированные с тактовым импульсом сигналы сначала подаются на строку, затем на столбец. При записи информации подается дополнительный импульс допуска (WE). Производительность памяти напрямую зависит от количества данных, передаваемых за каждый такт.

Как работает оперативная память

Ее функционирование тесно связано с CPU и информационными носителями. На сайте мы уже писали про оперативную память и как она работает. Данные с жесткого диска или другого накопителя первоначально попадают в оперативную память и только после их обрабатывает ЦП.

Структура оперативки похожа на таблицу, где сперва выбирается строчка, а после — столбец. Она делится на банки — ячейки SDRAM. Например, современные варианты DDR4 отличаются от DDR3 удвоенным числом банков. За счет растет производительность. Быстрота DDR4 достигает 25,6 ГБ/c, при этом шина может функционировать на 3200 МГц.

Зачем нужна эта самая оперативная память?

Как мы уже знаем, обмен данными между процессором и памятью происходит чаще всего с участием кэш-памяти. В свою очередь, ею управляет специальный контроллер, который, анализируя выполняемую программу, пытается предвидеть, какие данные и команды вероятнее всего понадобятся в ближайшее время процессору, и подкачивает их, т.е. кэш-контроллер загружает в кэш-память нужные данные из оперативной памят­и, и возвращает, когда нужно, модифицирован­ные процессором данные в оперативку.

После процессора, оперативную память можно считать самым быстродействующим устройством. Поэтому основной обмен данными и происходит между этими двумя девайсами. Вся информация в персональном компьютере хранится на жестком диске. При включении компа в ОЗУ с винта записываются драйверы, специальные программы и элементы операционной системы. Затем туда записываются те программы – приложения, которые мы будем запускать, при закрытии последних они будут стерты из оной.

Данные, записанные в оперативной памяти, передаются в CPU (он же не раз упомянутый процессор, он же Central Processing Unit), там обрабатываются и записываются обратно. И так постоянно: дали команду процессору взять биты по таким-то адресам (как то: обработатьих и вернуть на место или записать на новое) – он так и сделал (смотрите изображение).

Все это хорошо до тех пор, пока ячеек памяти (1) хватает. А если нет?

Тогда в работу вступает файл подкачки (2). Этот файл расположен на жестком диске и туда записывается все, что не влезает в ячейки оперативной памяти. Поскольку быстродействие винта значительно ниже ОЗУ, то работа файла подкачки сильно замедляет работу системы. Кроме этого, это снижает долговечность самого жесткого диска. Но это уже совсем другая история.

Примечание. Во всех современных процессорах имеется кэш (cache) — массив сверхскоростной оперативной памяти, являющейся буфером между контроллером сравнительно медленной системной памяти и процессором. В этом буфере хранятся блоки данных, с которыми CPU работает в текущий момент, благодаря чему существенно уменьшается количество обращений процессора к чрезвычайно медленной (по сравнению со скоростью работы процессора) системной памяти.

Однако, кэш-память малоэффективна при работе с большими массивами данных (видео, звук, графика, архивы), ибо такие файлы просто туда не помещаются, поэтому все время приходится обращаться к оперативной памяти, или к HDD (у которого также имеется свой кэш).

Формула расчета

В редких случаях, когда на сайте производителя не выдаются необходимые спецификации, а AIDA64 и CPU-Z не способны собрать информацию о характеристиках и оставляют росчерки в некоторых полях, остается экспериментировать над расчетом показателей вручную. За основу часто берется формула: «Время задержки = 1 / Частота передачи (измеряемая в Гц)».

Подставляя числа (в формулу добавляются значения со скриншота, изначально поделенные на половину из-за способа взаимодействия частот с контроллером памяти) появляется следующий результат – 1 / 400 000 000 = 2,5 наносекунды. Если заявленные производителем тайминги CL-11, то остается лишь умножить 2,5 на 11. В результате – 27,5 наносекунды (или округленные 28 на скриншоте).

Преимущества использования режима DRAM Timing Mode Unlink

Когда режим DRAM Timing Mode Unlink активирован, пользователь может изменять значения таймингов частоты модуля памяти, используемые в режиме чтения и записи, независимо друг от друга. Это означает, что вы можете настроить более быстрое время чтения и немного менее быстрое время записи или наоборот, в зависимости от потребностей вашей системы.

Преимущества использования режима DRAM Timing Mode Unlink включают:

1. Увеличение производительности: Позволяет оптимизировать время доступа к памяти для различных операций чтения и записи, что может привести к улучшению производительности системы в целом.
2. Гибкость настройки: Позволяет пользователям точно настроить параметры оперативной памяти в соответствии с требованиями и предпочтениями, обеспечивая баланс между производительностью и стабильностью системы.
3. Расширение возможностей разгона: При разгоне системы, использование режима DRAM Timing Mode Unlink позволяет максимально использовать потенциал оперативной памяти, достигнув стабильной работы на повышенных частотах.

Важно отметить, что использование режима DRAM Timing Mode Unlink может потребовать тщательной настройки параметров оперативной памяти и тестирования стабильности системы после изменений

Как настроить тайминги оперативной памяти

Как только пользователь установит планки и включит компьютер, БИОС автоматически узнает частотные показатели и тайминги. Однако смена настроек оперативы может положительно повлиять производительность лэптопа, ПК.

Подсистема предоставляет довольно широкие возможности для манипуляций с параметрами планок. Впрочем, число доступных для редактирования параметров ОЗУ может существенно отличаться для разных материнских плат, даже если их чипсеты идентичны.

По этому признаку их можно поделить на модели с:

1. Минимальными возможностями изменения настроек: поддерживается возможность установки частоты модулей и одного-двух таймингов. Возможности разгона ощутимо ограничены. Подобное явление — норма для вариантов бюджетного уровня класса H для INTEL и А для AMD.
2. Поддержкой редактирования базовых параметров — можно поменять частоту, основные тайминги. Это стандарт для большинства материнок класса B.
3. Расширенными возможностями (маркируются как Z и X): предоставляют пользователю доступ к редактированию максимума параметров.

Внимание! Менять значения лучше постепенно: по полшага за раз

Действовать необходимо осторожно, иначе можно повредить оперативу

Как проверить работу оперативной памяти и настроить тайминги в БИОСе
Как протестировать ОЗУ в Windows
Как настроить тайминги оперативной памяти в БИОС	1. Перезагрузить ПК.
2. Пока ОС грузится, зайти в БИОС. В зависимости от модели компьютера/лэптопа кнопки для входа могут отличаться.
3. В расширенных настройках BIOSа перейти во вкладку «Advanced».
4. Найти «CAS Latency»:
Если производительность выросла — можно продолжать сокращать отклик. Но на этот раз значение надо менять в «RAS Precharge delay».

Чем короче тайминги, тем лучше. Если изначально они не такие маленькие, как хотелось бы, их можно поменять, поколдовав немного в BIOS. Главное — делать все не спеша и после любой перемены проверять работоспособность.

Настройка таймингов средствами BIOS

В большинстве случаев BIOS устанавливает тайминги автоматически. Как правило, вся необходимая информация о таймингах содержится в специальной микросхеме SPD, которая присутствует в любом модуле памяти. Однако при необходимости значения таймингов можно устанавливать и вручную – BIOS большинства материнских плат предоставляет для этого широкие возможности. Обычно для управления таймингами используется опция DRAM Timings, в которой пользователь может установить значения основных таймингов — CAS Latency, RAS to CAS Delay, RAS Precharge и Row Active Time, а также ряда дополнительных. Кроме того, пользователь может оставить значения, используемые BIOS по умолчанию, выбрав вариант Auto.

Пример окна настройки таймингов BIOS

Почему возникает необходимость в самостоятельной установке таймингов? Это может потребоваться в разных случаях, например в ходе мероприятий по разгону оперативной памяти. Как правило, установка меньших значений таймингов позволяет увеличить быстродействие оперативной памяти. Однако в ряде случаев бывает полезной и установка больших значений таймингов по сравнению с номиналом – это позволяет улучшить стабильность работы памяти. Если вы затрудняетесь с установкой данных параметров и не знаете, какие величины таймингов лучше всего установить, то следует довериться значениям BIOS по умолчанию.

Выполняем в AIDA64 стресс тест стабильности системы

В AIDA64 производится диагностика оборудования с помощью стресс теста стабильности системы. С помощью тестов создается полная нагрузка на процессор, видеокарту, подсистему памяти, диски, выполняется диагностика монитора. По выбору пользователя, нагрузка создается на все компоненты системы или тестируются только отдельные устройства компьютера.

В главном окне AIDA64, в меню «Сервис» выберите один из возможных вариантов для тестирования:

• Тест диска — выполнение тестирования диска компьютера в AIDA64 Disk Benchmark (произведите выбор нужного локального диска, если на ПК несколько дисков).
• Тест кэша и памяти — проведение проверки оперативной памяти, кэша памяти разных уровней в AIDA64 Cache & Memory Benchmark.
• Тест GPGPU — тестирование графической подсистемы компьютера в AIDA64 GPGPU Benchmark (тест отдельной видеокарты, тест всех графических устройств одновременно в OpenCL).
• Диагностика монитора — проверка состояния настроек монитора (калибровка, цвет, настройки LCD или CRT экранов и т. д.).
• Тест стабильности системы — тестирование стабильности компьютера в целом или проверка отдельных компонентов.
• AIDA64 CPUID — запуск панели с детальной информацией о процессоре, наборе команд, размере кэша, напряжении, тактовой частоте, технологии изготовления.

Выполните проверку аппаратных компонентов компьютера при применении экстремальных нагрузок, в течение продолжительного периода времени.

Тест стабильности системы включает в себя следующие типы стресс тестов:

• Stress CPU — стресс тест центрального процессора.
• Stress FPU — стресс тест кулера.
• Stress cache — стресс тест кэша процессора.
• Stress system memory — стресс тест оперативной памяти.
• Stress local disk — стресс тест локального жесткого диска.
• Stress GPU(s) — стресс тест видеокарты или нескольких видеокарт.

Если при полной нагрузке во время теста в течение нескольких часов, система не перезагрузится, не появятся ошибки или сбои, значит, оборудование компьютера работает стабильно.

Что такое Dram timing mode в биосе: понимание и настройка

DRAM Timing Mode определяет, какие временные интервалы используются для чтения, записи и выполнения операций оперативной памяти. Он включает в себя несколько подпараметров, включая CAS Latency (CL), RAS to CAS Delay (tRCD), RAS Precharge (tRP) и другие. Каждый из этих параметров задает определенное время задержки для выполнения определенной операции.

Настройка DRAM Timing Mode требуется, когда вы хотите оптимизировать производительность оперативной памяти. Для этого вам может потребоваться увеличить частоту памяти или снизить временные задержки, чтобы оперативная память могла работать быстрее и более эффективно.

Однако, настройка DRAM Timing Mode может быть сложной задачей, так как неправильные значения могут привести к нестабильности системы, появлению ошибок и сбоям в работе памяти. Поэтому, перед изменением этих параметров, необходимо обязательно ознакомиться с рекомендациями производителя оперативной памяти и материнской платы, а также иметь некоторые знания о технических характеристиках своей системы.